Open AccessEffect of nanoparticles on the structure of thin films: atomistic simulation results
Author(s) -
Ф. В. Григорьев,
В. Б. Сулимов,
Alexander V. Tikhonravov
Publication year - 2018
Publication title -
vyčislitelʹnye metody i programmirovanie
Language(s) - English
Resource type - Journals
eISSN - 1726-3522
pISSN - 0507-5386
DOI - 10.26089/nummet.v19r215
Subject(s) - nanoparticle , thin film , materials science , deposition (geology) , molecular dynamics , silicon , chemical physics , silicon dioxide , nanotechnology , chemical engineering , optoelectronics , computational chemistry , composite material , chemistry , paleontology , sediment , engineering , biology
Предложена модель, описывающая влияние наночастиц на атомистическую структуру напыляемых тонких пленок. Модель основана на развитом ранее методе молекулярно-динамического моделирования процесса напыления тонких оптических покрытий и применена к пленкам диоксида кремния. Наночастица предполагается неподвижной, ее взаимодействие с атомами описывается сферически симметричным потенциалом. Структура пленки вблизи наночастицы исследуется с помощью радиальных функций распределения. Показано, что поведение этих функцийоколо наночастицы существенно отличается для случаев высокоэнергетического и низкоэнергетического напыления. A model describing the effect of nanoparticles on the structure of thin films structure is proposed. The model is based on the previously developed molecular dynamics method of thin film deposition simulation and is applied to the study of silicon dioxide thin films. A nanoparticle is considered as a fixed object whose interaction with film atoms is described by a spherical symmetric potential. Radial distribution functions are used to study the film structure near the nanoparticle. It is shown that the behavior of these functions is essentially different near nanoparticles in the cases of high-energy and low-energy deposition processes.