Open AccessSurface roughness of thin film atomistic nanometer-size clusters
Author(s) -
Ф. В. Григорьев,
В. Б. Сулимов,
Alexander V. Tikhonravov
Publication year - 2016
Publication title -
vyčislitelʹnye metody i programmirovanie
Language(s) - English
Resource type - Journals
eISSN - 1726-3522
pISSN - 0507-5386
DOI - 10.26089/nummet.v17r442
Subject(s) - materials science , nanometre , surface roughness , thin film , molecular dynamics , deposition (geology) , silicon , surface finish , substrate (aquarium) , surface (topology) , surface energy , nanotechnology , chemical physics , composite material , optoelectronics , computational chemistry , chemistry , geometry , mathematics , paleontology , oceanography , sediment , geology , biology
Предложен алгоритм расчета шероховатости поверхности тонких пленок, напыляемых в рамках численных экспериментов. Алгоритм применен к атомистическим кластерам диоксида кремния с характерным размером до 70 нм. Напыление пленки на подложку проводится с использованием метода, развитого ранее на основе классической молекулярной динамики с силовым полем DESIL, созданным специально для моделирования высокоэнергетических процессов напыления. Анализируется зависимость шероховатости от параметров алгоритма и от параметровнапыления - температуры подложки и энергии осаждаемых атомов кремния. An algorithm of surface roughness calculation for the thin film atomistic clusters obtained in numerical experiments is proposed. The algorithm is applied to silicon dioxide films. The thickness of deposited films is up to 70 nm. The deposition process simulation is performed using the classical molecular dynamics method with the DESIL force field developed earlier specially for high-energy deposition simulation. The dependence of surface roughness on the algorithm parameters, the temperature of the substrate, and the energy of deposited silicon atoms is studied.