Open AccessА COMPARISON OF THE DIFFERENT GAAS PHEMT LOGIC FAMILIES CHARACTERISTICS
Author(s) -
D. V. Bilevich,
A. S. Salnikov,
A. A. Popov,
A. A. Kalentyev,
A. E. Goryainov
Publication year - 2021
Publication title -
dinamika sistem, mehanizmov i mašin
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
ISSN - 2310-9793
DOI - 10.25206/2310-9793-9-3-57-63
Subject(s) - high electron mobility transistor , optoelectronics , materials science , electrical engineering , engineering , transistor , voltage
В данной статье представлено сравнение основных характеристик базовых логических вентилей, спроектированных по GaAs pHEMT технологии. Сравнение проведено для шести типов логических схем. Сравнение показало, что использование резисторов с высоким удельным сопротивлением позволяет уменьшить площадь в 1,6 раза и потребляемую мощность в 5 раз для базового логического элемента НЕ для схем НСПТ (DCFL) типа. Установлено, что использование таких резисторов в схеме БПТ (BFL) типа позволяет сократить занимаемую площадь в 2 раза, а потребляемую мощность в 2,5 раза. Также приведено сравнение характеристик для схемы DCFL типа для двух различных фабрик.