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Un estudio teórico de la estructura electrónica y las propiedades dieléctricas de B-Nb2O5
Author(s) -
Camilo ValenciaBalvín,
Santiago PérezWalton,
J. M. Osório-Guillén
Publication year - 2011
Publication title -
tecnológicas
Language(s) - Spanish
Resource type - Journals
eISSN - 2256-5337
pISSN - 0123-7799
DOI - 10.22430/22565337.7
Subject(s) - humanities , physics , art
En este trabajo hemos investigado teóricamente las propiedades electrónicas y ópticas del óxido de niobio B-Nb2O5para una de sus fases cristalinas, a saber la fase B. Usamos la Teoría de los Funcionales de la Densidad junto con la Aproximación del Gradiente Generalizado con uno de sus nuevos funcionales diseñado para sólidos: PBEsol. La banda prohibida calculada es indirecta (Eg = 2,54 eV), con el máximo de la banda de valencia localizado en Γ y el mínimo de la banda de conducción en (1 ̅/3,1/3,1/3). También calculamos la parte real e imaginaria del tensor dieléctrico, el índice de refracción, la reflectividad, la transmitancia y la parte real de la conductividad óptica. El valor calculado del índice de refracción es 2,52, que está en buena correspondencia con el valor experimental de 2,64. 

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