Perhitungan Konstanta Dielektrik Lapisan Tipis Graphene Monolayer Si-Face Hasil Pengukuran Synchrotron dengan Metode Kramers-Kronig dan Newton-Raphson (Halaman 49 s.d. 53)

Telah dilakukan perhitungan konstanta dielektrik nanostruktur epitaxial graphene monolayer pada substrat Si-face SiC dari hasil pengukuran data reflektivitas dengan metode Kramers-Kronig dan Newton-Raphson. Data yang digunakan yaitu data reflektivitas pada rentang energi 0.5 – 30 eV dari pengukuran di Hasylab Synchroton. Metode Kramers-Kronigmenghasilkan beda fase δ dan dengan menggunakan persamaan Fresnel dan persamaan Snelliusdigunakan untuk mengekstraksi konstanta dielektrik. Permasalahan pencarian titik nol dalam persamaan Fresnel ketika mengekstraksi konstanta dielektrik dapat diselesaikan dengan metode numerik Newton-Raphson. Hasil yang diperoleh menunjukkan beberapa hal penting : 1) metode Kramers-Kronig dan numerik Newton-Raphson dapat digunakan untuk mengekstraksi konstanta dielektrik graphene monolayer Si-face, 2) adanya puncak absorbsi asimetri pada energi 4,6, 6,1 dan 8,4 eV ditinjau dari bagian imajiner konstanta dielektrik dan indeks bias, 3) puncak pada energi 6,1 dan 8,4 eV berasal dari resonansi exitonic akibat adanya interaksi elektron-elektron dan elektron-hole dan puncak pada energi 4,6 eV berasal transisi antar pita (interband) dari π band ke π* band yang dimiliki material graphene monolayer.