Open AccessTính chất điện tử của dãy nano penta-graphene biên răng cưa sai hỏng dạng khuyết
Author(s) -
Thành Tiên Nguyễn,
Võ Phương Thuận Lê,
Hoàng Chương Đào,
Thị Ngọc Huyền Võ
Publication year - 2021
Publication title -
tạp chí khoa học trường đại học cần thơ/tạp chí khoa học trường đại học cần thơ
Language(s) - Vietnamese
Resource type - Journals
eISSN - 2815-5599
pISSN - 1859-2333
DOI - 10.22144/ctu.jvn.2021.143
Subject(s) - chemistry
Trong bài báo này, tính chất điện tử của các dãy penta-graphene dạng răng cưa (SSPGNR) sai hỏng dạng khuyết (DSSPGNRs) được nghiên cứu bằng cách tính năng lượng liên kết, cấu trúc vùng điện tử và mật độ trạng thái bởi phương pháp nguyên lý ban đầu. Ba kiểu khuyết được khảo sát trong nghiên cứu này là khuyết đơn nguyên tử C1, C2 và khuyết đồng thời hai nguyên tử C2. Kết quả nghiên cứu cho thấy DSSPGNR có độ rộng vùng cấm giảm đáng kể so với mẫu không khuyết. Trong đó, DSSPGNRs khuyết đồng thời hai nguyên tử C2 có độ rộng vùng cấm giảm nhiều hơn so với DSSPGNRs khuyết đơn nguyên tử. Kết quả nghiên cứu này cung cấp thông tin quan trọng cho việc phát triển ứng dụng penta-graphene trong lĩnh vực vi điện tử.