
Исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе CdHgTe и HfO-=SUB=-2-=/SUB=-
Author(s) -
Д.В. Горшков,
Е.Р. Закиров,
Г.Ю. Сидоров,
И.В. Сабинина,
Д.В. Марин
Publication year - 2022
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2022.19.53589.19279
Subject(s) - materials science , deposition (geology) , dielectric , semiconductor , atomic layer deposition , admittance , layer (electronics) , plasma , optoelectronics , analytical chemistry (journal) , nanotechnology , chemistry , electrical engineering , physics , paleontology , engineering , quantum mechanics , chromatography , sediment , biology , electrical impedance