Изучение процесса газофазного осаждения Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- из триметилгаллия и кислорода в широком интервале температур | Zendy

В.В. Лундин | Zendy; С.Н. Родин | Zendy; А.В. Сахаров | Zendy; А.Ф. Цацульников | Zendy; А.В. Лобанова | Zendy; М.В. Богданов | Zendy; Р.А. Талалаев | Zendy; Haiding Sun | Zendy; Shibing Long | Zendy

Open Access

Изучение процесса газофазного осаждения Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- из триметилгаллия и кислорода в широком интервале температур

Author(s) -

В.В. Лундин,

С.Н. Родин,

А.В. Сахаров,

А.Ф. Цацульников,

А.В. Лобанова,

М.В. Богданов,

Р.А. Талалаев,

Haiding Sun,

Shibing Long

Publication year - 2021

Publication title -

письма в журнал технической физики

Language(s) - English

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7471

pISSN - 0320-0116

DOI - 10.21883/pjtf.2022.04.52085.19081

Subject(s) - trimethylgallium , metalorganic vapour phase epitaxy , deposition (geology) , decomposition , chemical vapor deposition , pyrolysis , atmospheric temperature range , nitrogen , materials science , analytical chemistry (journal) , range (aeronautics) , chemistry , nanotechnology , thermodynamics , physics , epitaxy , environmental chemistry , paleontology , organic chemistry , layer (electronics) , sediment , composite material , biology

Study of Ga2O3 deposition by MOVPE using trimethylgallium and oxygen was performed in a wide temperature range. It was found that for Ga2O3 deposition rate vs temperature dependence is very close to the TMGa pyrolysis in nitrogen. Kinetically-limited range for these processes corresponds to 550-700 C, that is 150 C higher, then for GaN deposition in the same reactor.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research