Open AccessАнализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 μm с туннельным переходом на основе слоев n-=SUP=-+-=/SUP=--InGaAs/p-=SUP=-+-=/SUP=--InGaAs/p-=SUP=-+-=/SUP=--InAlGaAs
Author(s) -
С.А. Блохин,
М.А. Бобров,
А.А. Блохин,
Н.А. Малеев,
А.Г. Кузьменков,
А.П. Васильев,
С.С. Рочас,
А.В. Бабичев,
И.И. Новиков,
Л.Я. Карачинский,
А.Г. Гладышев,
Д.В. Денисов,
К.O. Воропаев,
А.Ю. Егоров,
В.М. Устинов
Publication year - 2021
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - English
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2021.23.51774.18938
Subject(s) - molecular beam epitaxy , materials science , optoelectronics , gallium arsenide , wafer , laser , quantum efficiency , optics , range (aeronautics) , epitaxy , layer (electronics) , physics , nanotechnology , composite material
The analysis of internal optical loss and internal quantum efficiency in 1.3 μm-range InAlGaAsP/AlGaAs a composite n++-InGaAs/р++-InGaAs/р++-InAlGaAs tunnel junction obtained in the frame of molecular-beam epitaxy and wafer fusion technology. The level of internal optical losses in the lasers under study was varied by depositing a dielectric layer on the surface of the output mirror. It is shown that it is possible in principle to achieve low internal optical loss of less than 0.08% and 0.14% per one pass (round-trip) at temperatures of 20°С and 90°С, respectively.