Open AccessЦиркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe
Author(s) -
М.В. Ведь,
М.В. Дорохин,
В.П. Лесников,
А.В. Кудрин,
П.Б. Дёмина,
А.В. Здоровейщев,
Ю.А. Данилов
Publication year - 2021
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - English
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2021.20.51613.18836
Subject(s) - electroluminescence , optoelectronics , heterojunction , materials science , light emitting diode , ferromagnetism , semiconductor , gallium arsenide , diode , quantum well , injector , condensed matter physics , optics , physics , laser , nanotechnology , layer (electronics) , thermodynamics
In this work, we demonstrate the possibility of using a diluted magnetic semiconductor GaAs:Fe as a ferromagnetic injector in a spin light-emitting diode based on a GaAs/InGaAs quantum well heterostructure. It is shown that in such a device it is possible to observe partially circularly polarized electroluminescence at room temperature.