Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков | Zendy

М.К. Бахадырханов | Zendy; Х.М. Илиев | Zendy; Г.Х. Мавлонов | Zendy; Ш.Н. Ибодуллаев | Zendy; С.А. Тачилин | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков

Author(s) -

М.К. Бахадырханов,

Х.М. Илиев,

Г.Х. Мавлонов,

Ш.Н. Ибодуллаев,

С.А. Тачилин

Publication year - 2021

Publication title -

письма в журнал технической физики

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7471

pISSN - 0320-0116

DOI - 10.21883/pjtf.2021.19.51504.18799

Subject(s) - materials science

Установлено, что особенностью отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, является его высокая чувствительность к различным внешним воздействиям. Определены закономерности изменения отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, в зависимости от температуры, освещенности, величины электрического и магнитного полей. Показана возможность создания нового класса многофункциональных датчиков физических величин на основе единого кристалла кремния, содержащего нанокластеры атомов марганца. Ключевые слова: многофункциональный датчик, отрицательное магнитосопротивление, кремний, нанокластер, марганец.

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Empowering knowledge with every search