Open AccessКристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO-=SUB=-2-=/SUB=-
Author(s) -
Д.А. Ташмухамедова,
М.Б. Юсупжанова,
Г.Х. Аллаярова,
Б.Е. Умирзаков
Publication year - 2020
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2020.19.50042.18368
Subject(s) - materials science , silicon , analytical chemistry (journal) , chemistry , optoelectronics , environmental chemistry
Методом бомбардировки ионами Ar + с последующим отжигом на различных глубинах оксида кремния получены нанофазы и нанослои Si. При изменении энергии ионов E 0 от 10 до 25 keV средняя глубина образования нанофаз Si меняется в пределах от 15 до 25 nm. Показано, что при изменении размеров нанофаз Si от ~ 10 до 25 nm ширина запрещенной зоны E g уменьшается от 1.9 до 1.5 eV. Для нанослоев Si E g составляет ~ 1.1-1.2 eV. Ключевые слова: гетероструктура, ионная бомбардировка, нанослой, поглощение света, степень покрытия.