Open AccessИсследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4H-SiC
Author(s) -
А.А. Лебедев,
К.С. Давыдовская,
А.Н. Якименко,
Anatoly M. Strel’chuk,
В. В. Козловский
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.22.45262.16921
Subject(s) - materials science , radiochemistry , chemistry
Исследовано изменение вольт-амперных характеристик и величины нескомпенсированной донорной примеси (N d -N a ) в базе диодов Шоттки и JBS-диодов на основе 4H-SiC при их облучении электронами с энергией 0.9 MeV и протонами с энергией 15 MeV. Скорость удаления носителей при облучении электронами составила 0.07-0.15 cm -1 , а при облучении протонами 50-70 cm -1 . Показано, что исследованные приборы сохраняли выпрямляющие вольт-амперные характеристики вплоть до доз электронного облучения ~ 10 17 cm -2 . Показано, что радиационная стойкость исследованных приборов на основе SiC существенно превосходит радиационную стойкость кремниевых p-i-n-диодов с аналогичными напряжениями пробоя. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45262.16921