Open AccessЭпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
Author(s) -
Д.И. Хусяинов,
А.М. Буряков,
Vladislav Bilyk,
Е. Д. Мишина,
Д. С. Пономарев,
Р. А. Хабибуллин,
А.Э. Ячменев
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.22.45260.16958
Subject(s) - optoelectronics , terahertz radiation , materials science , optics , physics
Методами оптического зондирования при фемтосекундной лазерной накачке (optical pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временной области исследовано влияние эпитаксиальных напряжений на динамику неравновесных носителей заряда, а также спектр терагерцевого излучения в пленках In y Ga 1-y As. Продемонстрировано снижение времени жизни неравновесных носителей заряда и увеличение ширины спектра терагерцевого излучения для пленки In y Ga 1-y As с большим механическим напряжением. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45260.16958