Open AccessДефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния
Author(s) -
В.В. Трегулов,
В.Г. Литвинов,
А.В. Ермачихин
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.21.45155.16929
Subject(s) - computer science
Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе p-n-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Предложено объяснение влияния толщины пленки пористого кремния, формируемой методом электрохимического травления, на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и показатели эффективности преобразования солнечной энергии. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929