Open AccessПрецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия
Author(s) -
Д.В. Мохов,
Т.Н. Березовская,
А.Г. Кузьменков,
Н.А. Малеев,
С.Н. Тимошнев,
В.М. Устинов
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.19.45086.16931
Subject(s) - materials science
Рассмотрен подход к обеспечению прецизионной калибровки уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия, основанный на исследовании зависимости концентрации носителей заряда в тестовом слое GaAs от температуры источника кремния методами на основе эффекта Холла и CV-профилирования. Для измерений параметров используются стандартные или аттестованные методики измерений и средства измерений утвержденного типа. Показано, что использование метода CV-профилирования для контроля концентрации носителей заряда в тестовом слое GaAs при тщательной оптимизации измерительной процедуры обеспечивает наивысшую точность и достоверность калибровки уровня легирования эпитаксиальных слоев с относительной погрешностью не более 2.5%. DOI: 10.21883/PJTF.2017.19.45086.16931