Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов | Zendy

E. V. Nikitina | Zendy; А. А. Лазаренко | Zendy; E. V. Pirogov | Zendy; M. S. Sobolev | Zendy; Т.Н. Березовская | Zendy

Open Access

Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов

Author(s) -

E. V. Nikitina,

А. А. Лазаренко,

E. V. Pirogov,

M. S. Sobolev,

Т.Н. Березовская

Publication year - 2017

Publication title -

письма в журнал технической физики

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7471

pISSN - 0320-0116

DOI - 10.21883/pjtf.2017.18.45039.16643

Subject(s) - gallium arsenide , materials science , optoelectronics

Исследуется влияние конструкции метаморфного буферного слоя на изменения с течением времени электрофизических характеристик метаморфных транзисторов InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов. С помощью Холловских измерений показано, что транзисторная гетероструктура с метаморфным буфером на основе сверхрешеток In(Al)GaAs/InAlAs обладает наибольшими значениями концентрации и подвижности электронов в канале и наименее подвержена деградации с течением времени. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45039.16643

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research