Open AccessНаправленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием
Author(s) -
V. G. Talalaev,
В.И. Штром,
Ю.Б. Самсоненко,
А. И. Хребтов,
А. Д. Буравлев,
Г. Э. Цырлин
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.17.44949.16504
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Проведены исследования направленности излучения самокаталитических нитевидных нанокристаллов (ННК) типа ННК GaAs в оболочке AlGaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с разной степенью легирования бериллием. Показано, что нелегированный образец обладает выраженными волноводными свойствами вдоль направления роста. При увеличении степени легирования возрастает интенсивность излучения, направленного перпендикулярно боковым стенкам ННК. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44949.16504