Open AccessОсобенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/n-InAlAs
Author(s) -
I. B. Chistokhin,
M. S. Aksenov,
N. A. Valisheva,
Д. В. Дмитриев,
К.С. Журавлев,
A. A. Guzev
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.12.44712.16700
Subject(s) - materials science , analytical chemistry (journal) , chemistry , environmental chemistry
Исследованы вольт-амперные характеристики барьеров Шоттки Au/Ti/ n-InAlAs/InP в температурном диапазоне 100-380 K. Показано, что при повышении температуры от 100 до 200 K коэффициент идеальности уменьшается от 1.58 до 1.1, а высота барьера повышается от 0.55 до 0.69 eV. При дальнейшем повышении температуры от 200 до 380 K коэффициент идеальности и высота барьера изменяются слабо. Такое поведение хорошо согласуется с моделью латеральной неоднородности высоты барьера (модель Танга), что подтверждается линейной зависимостью высоты барьера от коэффициента идеальности в диапазоне температур 100-200 K. В соответствии с этой моделью были рассчитаны значения высоты барьера гомогенного перехода 0.88 eV, среднеквадратичного отклонения 10 -4 cm 2/3 · V 1/3 гауссова распределения высоты барьера, эффективной площади областей с пониженной высотой барьера 3.7· 10 -11 cm 2 и постоянной Ричардсона 10.7 A· cm -2 · K -2 . DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44712.16700