Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием | Zendy

А.Б. Пашковский | Zendy; С.И. Новиков | Zendy; В.Г. Лапин | Zendy; В.М. Лукашин | Zendy

AI Assistant Blog Pricing

Home ZAIA Blog

Open Access

Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием

Author(s) -

А.Б. Пашковский,

С.И. Новиков,

В.Г. Лапин,

В.М. Лукашин

Publication year - 2017

Publication title -

письма в журнал технической физики

Language(s) - Russian

Resource type - Journals

eISSN - 1726-7471

pISSN - 0320-0116

DOI - 10.21883/pjtf.2017.12.44707.16718

Subject(s) - materials science

Предложена модификация обращенной гетероструктуры путем встраивания в структуру легированного акцепторами слоя, формирующего дополнительный потенциальный барьер, уменьшающий поперечный пространственный перенос горячих электронов в подложку. Согласно проведенным расчетам, такая структура имеет разность энергий между уровнями размерного квантования, в несколько раз превышающую энергию оптического фонона в GaAs, и повышенную линейность передаточной характеристики. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44707.16718

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.

Having issues? You can contact us here

Accelerating Research