Open AccessДвумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
Author(s) -
А.Б. Пашковский,
С.И. Новиков,
В.Г. Лапин,
В.М. Лукашин
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.12.44707.16718
Subject(s) - materials science
Предложена модификация обращенной гетероструктуры путем встраивания в структуру легированного акцепторами слоя, формирующего дополнительный потенциальный барьер, уменьшающий поперечный пространственный перенос горячих электронов в подложку. Согласно проведенным расчетам, такая структура имеет разность энергий между уровнями размерного квантования, в несколько раз превышающую энергию оптического фонона в GaAs, и повышенную линейность передаточной характеристики. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44707.16718