z-logo
open-access-imgOpen Access
Технология роста и характеристики полученных тонких пленок иридата стронция и гетероструктур иридат-купратный сверхпроводник
Author(s) -
А.М. Петржик,
G. Cristiani,
Г. Логвенов,
А.Е. Пестун,
Н.В. Андреев,
Ю.В. Кислинский,
Г.А. Овсянников
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.12.44705.16704
Subject(s) - materials science , chemistry
Предложена и отработана технология эпитаксиального роста тонких пленок иридата стронция Sr 2 IrO 4 и гетероструктур Sr 2 IrO 4 /YBa 2 Cu 3 O 7-delta , содержащих купратный сверхпроводник. Показано, что рост двухслойной структуры происходит эпитаксиально, а слой купратного сверхпроводника имеет ту же критическую температуру, что и автономная пленка (~ 91 K). Кристаллографические параметры полученных пленок иридата близки к табличным значениям, температурные зависимости сопротивления тонких пленок согласуются с литературными данными. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44705.16704

The content you want is available to Zendy users.

Already have an account? Click here to sign in.
Having issues? You can contact us here