Open AccessСелективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Author(s) -
М. Н. Дроздов,
V. M. Danil’tsev,
Ю Н Дроздов,
O. I. Khrykin,
П.А. Юнин
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.10.44620.16635
Subject(s) - gallium arsenide , materials science , optoelectronics
Развиваются новые возможности метода вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа атомного состава нанокластеров InGaAs в матрице GaAs. С использованием тестовых структур In x Ga 1-x As получены нелинейные калибровочные зависимости "интенсивность-концентрация" для вторичных ионов In 2 As и InAs, которые не содержат нормировки на элементы матрицы Ga или As и позволяют селективно анализировать состав нанокластеров. Проведен количественный послойный анализ концентрации индия и определены статистические характеристики массивов нанокластеров в гетероструктурах InGaAs/GaAs. DOI: 10.21883/PJTF.2017.10.44620.16635