Open AccessГенерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6H-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
Author(s) -
Д.В. Нечаев,
А.А. Ситникова,
П.Н. Брунков,
С.В. Иванов,
В.Н. Жмерик
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.09.44578.16607
Subject(s) - materials science , in situ , crystallography , optoelectronics , chemistry , organic chemistry
Исследованы in situ генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре Al 0.25 Ga 0.75 N/GaN/AlN общей толщиной более 3 mum в процессе ее роста на подложке 6H-SiC методом низкотемпературной плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при температурах подложки 690-740 o C. При комнатной температуре слои AlN и GaN показали остаточные сжимающие напряжения величиной -2.3 и -0.1 GPa соответственно, что позволило исключить растрескивание структуры при ее постростовом остывании. DOI: 10.21883/PJTF.2017.09.44578.16607