
Температурное поведение спектров оптического поглощения квантовых точек InP/ZnS
Author(s) -
С.С. Савченко,
А.С. Вохминцев,
И.А. Вайнштейн
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.06.44402.16543
Subject(s) - materials science , optoelectronics , indium phosphide , gallium arsenide
Проведено исследование спектров оптического поглощения квантовых точек ядро/оболочка InP/ZnS в широком диапазоне температур T=6.5-296 K. Методом производной спектрофотометрии второго порядка определены энергии оптических переходов при комнатной температуре: E 1 =2.60±0.02 eV соответствует первому экситонному пику поглощения ядра InP, E 2 =4.70±0.02 eV может быть связана с процессами в оболочке ZnS. Впервые для нанокристаллов InP/ZnS выполнена аппроксимация экспериментальной зависимости E 1 (T) в рамках линейной модели и с помощью выражения Фэна. Показано, что изменение энергии E 1 с температурой обусловлено взаимодействием экситонов с продольными акустическими фононами homega=15 meV. DOI: 10.21883/PJTF.2017.06.44402.16543