Open AccessКонтроль упругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III-N методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Author(s) -
Д.С. Золотухин,
Д.В. Нечаев,
Sergey V. Ivanov,
В.Н. Жмерик
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.05.44363.16508
Subject(s) - materials science
Описывается оригинальная оптическая система измерений кривизны подложек (ОСИКП), позволяющая с высокой точностью исследовать процессы генерации и релаксации упругих напряжений во время роста гетероструктур (ГС) на основе нитридных соединений III-N методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии (ПА МПЭ). Применение разработанной ОСИКП для анализа роста ГС GaN/AlN/Si(111) позволило не только детально пронаблюдать динамику изменения упругих напряжений в этой структуре при ее металлобогащенном росте низкотемпературной ПА МПЭ, но и разработать конструкцию ГС, исключающую эффект растрескивания слоев за счет контроля величины сжимающих напряжений. DOI: 10.21883/PJTF.2017.05.44363.16508