Open AccessИсследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока
Author(s) -
В. А. Сергеев,
I. V. Frolov,
О. А. Radaev
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.04.44302.16344
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Показана возможность использования значений порогового тока для оценки качества светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов. Определено, что значения порогового тока коррелируют со значениями тока, при котором наблюдается максимум токовой зависимости внешней квантовой эффективности светодиода. Показано, что при испытаниях в режиме постоянного тока светодиоды с большими значениями порогового тока деградируют быстрее, чем светодиоды с малыми значениями порогового тока. DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44302.16344