Open AccessСтруктурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
Author(s) -
И.Д. Лошкарев,
А.П. Василенко,
Е.М. Труханов,
А.В. Колесников,
М.А. Путято,
М.Ю. Есин,
М.О. Петрушков
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.04.44299.16494
Subject(s) - materials science , chemistry
С использованием метода рентгеновской дифрактометрии исследована структура пленок GaP, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальных подложках Si(1113). Установлено, что кристаллическая решетка псевдоморфной пленки поворачивается вокруг < 110> в сторону увеличения отклонения от сингулярной ориентации. В процессе релаксации происходит поворот в противоположную сторону. Это справедливо для пленок обеих полярностей: (001) и (001). Установлены отличия морфологии поверхности релаксированной и псевдоморфной пленок GaP. DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44299.16494