Open AccessСоздание и электрические свойства гетеропереходов p-Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnSnS-=SUB=-4-=/SUB=-/n-Si
Author(s) -
A. A. Iusupov,
К. Адамбаев,
Zafar Turaev,
Sukhrob Aliev,
А. Кутлимратов
Publication year - 2017
Publication title -
письма в журнал технической физики
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.02.44193.16474
Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry
Впервые получены анизотипные гетеропереходы p-Cu 2 ZnSnS 4 /n-Si методом сульфиризации базовых металлических слоев, предварительно напыленных на подложку из поликристаллического кремния. Анализируются вольт-амперные характеристики и обсуждаются механизмы токопрохождения в созданных структурах. Показано, что для прямого смешения характерны туннельно-рекомбинационные процессы и токи, ограниченные пространственным зарядом. При обратных смещениях в гетеропереходе преобладают токи, ограниченные пространственным зарядом. DOI: 10.21883/PJTF.2017.02.44193.16474
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom