Open AccessРелаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
Author(s) -
A. E. Marichev,
Roy Levin,
A. B. Gordeeva,
G. S. Gagis,
V. I. Kuchinskiĭ,
B. V. Pushnyĭ,
N. D. Prasolov,
N. M. Shmidt
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.02.44180.16463
Subject(s) - optoelectronics , materials science , indium phosphide , gallium arsenide
Исследованы особенности релаксации механических напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах, являющихся основой для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm. Показано, что релаксация механических напряжений путем образования упорядоченного рельефа на поверхности слоев твердого раствора InGaAsP/InP-гетероструктур с составом твердого раствора по индию до 80% позволяет уменьшить вероятность спинодального распада твердого раствора, повысить на порядок интенсивность фотолюминесценции твердого раствора и увеличить эффективность преобразования лазерного излучения. DOI: 10.21883/PJTF.2017.02.44180.16463