Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения

Исследована возможность использования метода плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения для выращивания ориентированных пленок AlN на подложках Al 2 O 3 при температурах менее 300 o C. Проведены исследования образцов методами рентгенофазового анализа и эллипсометрии. Показано, что при длительностях плазменной экспозиции боле 20 s осаждаются пленки, обладающие показателем преломления, равным 2.03± 0.03. На рентгенограммах этих образцов присутствуют рефлексы (0002) и (0004) при углах 2Theta, равных 35.7 o и 75.9 o , характерные для гексагонального политипа AlN. У наилучшего образца для рефлекса (0002) ширина кривой качания на полувысоте интенсивности (FWHM) составила порядка 162± 11 arcsec.