Open AccessВыращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения
Author(s) -
В. А. Тарала,
A. S. Altakhov,
М.Г. Амбарцумов,
В.Я. Мартенс
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.01.44091.16401
Subject(s) - physics , chemistry , materials science
Исследована возможность использования метода плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения для выращивания ориентированных пленок AlN на подложках Al 2 O 3 при температурах менее 300 o C. Проведены исследования образцов методами рентгенофазового анализа и эллипсометрии. Показано, что при длительностях плазменной экспозиции боле 20 s осаждаются пленки, обладающие показателем преломления, равным 2.03± 0.03. На рентгенограммах этих образцов присутствуют рефлексы (0002) и (0004) при углах 2Theta, равных 35.7 o и 75.9 o , характерные для гексагонального политипа AlN. У наилучшего образца для рефлекса (0002) ширина кривой качания на полувысоте интенсивности (FWHM) составила порядка 162± 11 arcsec.