Open AccessДислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
Author(s) -
Н.А. Соболев,
А.Е. Калядин,
В.И. Сахаров,
И.Т. Серенков,
Е.И. Шек,
К.В. Карабешкин,
П.А. Карасев,
А.И. Титов
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.01.44084.16420
Subject(s) - political science , physics , materials science
Установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 85 keV и дозой 8.3· 10 14 cm -2 в монокристаллический Si не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг при температуре 1100 o C в хлорсодержащей атмосфере сопровождается появлением D1- и D2-линий дислокационной люминесценции. Интенсивность обеих линий уменьшается с увеличением времени отжига от 0.25 до 3 h. С увеличением температуры измерения от 80 до 200 K интенсивности этих линий уменьшаются, а положения их максимумов сдвигаются в длинноволновую сторону.