Open AccessУсиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
Author(s) -
П. А. Бохан,
К.С. Журавлёв,
Dimitrij E. Zakrevskĭi,
Т. В. Малин,
I. V. Osinnykh,
N. V. Fateev
Publication year - 2017
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2017.01.44083.16442
Subject(s) - lambda , materials science , analytical chemistry (journal) , chemistry , physics , optics , chromatography
При оптической накачке импульсным лазерным излучением с lambda = 266 nm твердых растворов Al x Ga 1-x N/ AlN с x = 0.5 и 0.74, синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследованы спектральные характеристики спонтанной и стимулированной люминесценции. Получены широкополосные спектры излучения с шириной ~ 260 THz для Al 0.5 Ga 0.5 N и ~ 360 THz для Al 0.74 Ga 0.26 N. Измеренные коэффициенты усиления на lambda~ 528 nm для Al 0.5 Ga 0.5 N равны g~ 70 cm -1 , а для Al 0.74 Ga 0.26 N на lambda~ 468 nm g~ 20 cm -1 .