Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке

При оптической накачке импульсным лазерным излучением с lambda = 266 nm твердых растворов Al x Ga 1-x N/ AlN с x = 0.5 и 0.74, синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследованы спектральные характеристики спонтанной и стимулированной люминесценции. Получены широкополосные спектры излучения с шириной ~ 260 THz для Al 0.5 Ga 0.5 N и ~ 360 THz для Al 0.74 Ga 0.26 N. Измеренные коэффициенты усиления на lambda~ 528 nm для Al 0.5 Ga 0.5 N равны g~ 70 cm -1 , а для Al 0.74 Ga 0.26 N на lambda~ 468 nm g~ 20 cm -1 .