Open AccessФотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4-=SUP=-o-=/SUP=- и интерфейса Cs/SiC(100) 4-=SUP=-o-=/SUP=-
Author(s) -
Г.В. Бенеманская,
P. A. Dementev,
С.А. Кукушкин,
M. N. Lapushkin,
А. В. Осипов,
S. N. Timoshnev
Publication year - 2016
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2016.23.43982.16389
Subject(s) - materials science , silicon carbide , radiochemistry , analytical chemistry (journal) , chemistry , metallurgy , chromatography
Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры вицинальной поверхности SiC(100) 4 o , выращенной новым методом замещения атомов подложки, и интерфейса Cs/SiC(100) 4 o . Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C 1s, Si 2p в процессе формирования интерфейса Cs/SiC(100) 4 o . Обнаружено подавление поверхностного состояния SiC с энергией связи 2.8 eV и образование индуцированного цезием состояния с энергией связи 10.5 eV. Впервые обнаружена и исследована модификация сложной структуры компонентов в спектре остовного уровня C 1s. Найдено, что адсорбция Cs на вицинальной поверхности SiC(100) 4 o приводит к интеркаляции островков графена на SiC(100) 4 o атомами Cs.