
Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)
Author(s) -
С.А. Масалов,
А.В. Атращенко,
В.П. Улин,
Е.О. Попов,
А.Г. Колосько,
С.В. Филиппов
Publication year - 2016
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2016.22.43937.16365
Subject(s) - materials science , geology
Проведены измерения локальных электрофизических свойств поверхности пористого GaP с использованием методики туннельной спектроскопии в сверхвысоком вакууме. Обнаружены две области поверхности с различными электрофизическими свойствами. Наблюдался эффект аномальной полевой фотоэмиссии, наиболее вероятной причиной которой является наличие нанокластеров Ga 2 O 3 , GaP и ассоциированных с ними поверхностных состояний акцепторного типа, обладающих высокой плотностью. Для получения интегральных характеристик полевой электронной эмиссии с поверхности образца использовалась компьютеризированная система регистрации с онлайн-обработкой воль-тамперных характеристик.