Open AccessРезонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл--окисел--p-=SUP=-+-=/SUP=--кремний
Author(s) -
М.И. Векслер,
Г.Г. Карева,
Ю.Ю. Илларионов,
И.В. Грехов
Publication year - 2016
Publication title -
pisʹma v žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2016.21.43842.16310
Subject(s) - materials science , chemistry , analytical chemistry (journal) , environmental chemistry
Измерены и теоретически проанализированы вольт-амперные характеристики наноструктур Al/термический или электрохимический SiO 2 (2-4 nm)/сильнолегированный p + -Si, функционирующих как резонансно-туннельный диод. Характеристики демонстрируют особенности в виде ступеней и пиков тока, обусловленные транспортом электронов между валентной зоной кремния и металлом через дискретные уровни квантовой ямы, создаваемой зоной проводимости p + -Si и межфазной границей SiO 2 /p + -Si. Рассмотрены также резонансное туннелирование через уровни поверхностных состояний и появление при определенных условиях заряда вблизи указанной границы.