Open AccessЗависимость фотолюминесценции от температуры отжига поликристаллических слоев ZnO : Te/Si(111)
Author(s) -
A. K. Omaev,
A. M. Bagamadova,
M. E. Zobov
Publication year - 2022
Publication title -
optika i spektroskopiâ
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 2782-6694
pISSN - 0030-4034
DOI - 10.21883/os.2022.03.52172.2721-21
Subject(s) - materials science , silicon , crystallography , optoelectronics , chemistry
Поликристаллические пленки ZnO : Te/Si(111) получены методом газофазной эпитаксии в водороде в проточном реакторе пониженного давления. Свойства пленок ZnO : Te/Si(111) исследованы с помощью фотолюминесценции, рентгеновской дифракции и атомной силовой микроскопии. Фотолюминесцентные измерения показали, что в спектре излучения пленок ZnO : Te/Si(111) наблюдается весь диапазон видимой части спектра. Изучение спектра пленок ZnO : Te/Si(111) при 77 K показывает, что люминесценция смещается в красную область. Отжиг пленок при различных температурах (300-500 o C) приводит к общему уменьшению интенсивности и к смещению излучения в длинноволновую область спектра. Ключевые слова: оксид цинка, люминесценция, структура, морфология.