
Параметризованный эффективный потенциал для возбужденных состояний и его применение к расчету дипольных моментов перехода
Author(s) -
В.Н. Глушков,
С.И. Фесенко
Publication year - 2020
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/os.2020.04.49193.299-19
Subject(s) - physics , mathematics
Метод параметризованного эффективного потенциала, предложенный ранее для основного состояния, развит для возбужденных состояний с симметрией основного. Обсуждены различные приближения для определения обменно-корреляционных потенциалов, V xc . В частности, на основе требования симметрии V xc представлен один из рецептов построения нового класса V xc , который является функционалом внешнего потенциала (взаимодействия электрон-ядро) в отличие от традиционных подходов, где V xc явно или неявно зависят от электронной плотности. Возможности метода исследованы на примере расчета электронных дипольных моментов перехода молекулы НеН с однодетерминантной волновой функцией. Показано, что предложенный метод расчета дипольных моментов перехода можно рассматривать как компромисс между точностью и вычислительными усилиями. Ключевые слова: параметризованный эффективный потенциал, дипольные моменты перехода, возбужденные состояния.