Open AccessИспользование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур
Author(s) -
Andrei V. Alaferdov,
О.В. Вихрова,
Ю.А. Данилов,
Б.Н. Звонков,
Stanislav Moshkalev
Publication year - 2020
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/os.2020.03.49067.300-19
Subject(s) - gallium arsenide , materials science , optoelectronics
Экспериментально обнаружено существенное (почти на два порядка величины) увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции диодной структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs, слоем GaMnAs в качестве спинового инжектора и контактным покрытием из пленки многослойного графена. Результат объясняется возможным образованием гибридной системы многослойного графена и полупроводника GaAs под воздействием излучения He-Ne-лазера, приводящим к изменению зонной диаграммы гетероструктуры. Ключевые слова: светоизлучающая структура, GaAs, квантовая яма, многослойный графен, люминесценция, лазерное воздействие.