Open AccessРезистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y)/Ni
Author(s) -
Д. А. Антонов,
Д.О. Филатов,
А.С. Новиков,
А.В. Круглов,
И.Н. Антонов,
А.В. Здоровейщев,
О. Н. Горшков
Publication year - 2021
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2021.10.51359.105-21
Subject(s) - materials science
Экспериментально изучен эффект резистивного переключения отдельных ферромагнитных филаментов мемристорных структур на основе функциональных слоев ZrO 2 (Y)/Ni. В качестве верхнего прижимного электрода виртуальной мемристорной структуры выступал проводящий зонд атомно-силового микроскопа. Обнаруженные особенности резистивного переключения биполярного типа связаны c разрушением и восстановлением филаментов, содержащих атомы Ni, в диэлектрической пленке ZrO 2 (Y) и предположительно обусловлены разной степенью металлизации филамента. Сформированные филаменты проявляются на изображениях, полученных с помощью магнитно-силовой микроскопии, как однодоменные ферромагнитные частицы. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, ферромагнитные филаменты.