Open AccessМощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Author(s) -
К.С. Журавлев,
A. M. Gilinskiǐ,
I. B. Chistokhin,
N. A. Valisheva,
Д. В. Дмитриев,
A. I. Toropov,
M. S. Aksenov,
A. Chizh,
K Mikitchuk
Publication year - 2021
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2021.07.50957.347-20
Subject(s) - optoelectronics , materials science , gallium arsenide
Описаны конструкция и технологии изготовления мощных СВЧ-мезафотодиодов с барьером Шоттки диаметром от 10 до 40 μm и обратной засветкой через подложку на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Рабочая частота фотодиодов диаметром 10 μm составляет 40 GHz, а максимальная выходная СВЧ-мощность на частоте 20 GHz для фотодиодов диаметром 15 μm достигает 58 mW. Коэффициент амплитудно-фазового преобразования составил 1.5 rad/W, что превосходит литературные данные и делает данную конструкцию фотодиодов перспективной для применения в системах генерации и передачи аналоговых СВЧ-сигналов с высокими требованиями к фазовым шумам. Ключевые слова: мощные СВЧ-фотодиоды, гетероструктуры InAlAs/InGaAs, барьер Шоттки, планарная технология.