
Псевдощель, нанокристаллы и электропроводность легированного силикатного стекла
Author(s) -
Г. Абдурахманов,
В.И. Шиманский,
Б.Л. Оксенгендлер,
Б.Е. Умирзаков,
А.Н. Уроков
Publication year - 2021
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2021.02.50363.165-20
Subject(s) - computer science
Представление о псевдощели и нанокристаллах использовано для объяснения механизма электропроводности силикатного стекла, легированного оксидами переходных металлов (толстопленочные резисторы). Псевдощель возникает между потолком валентной зоны стекла и примесной зоной, созданной диффузией атомов лигатуры в стекло при спекании. Нанокристаллы образуются в стекле в процессе его варки, претерпевают структурные превращения при высоких температурах и действуют как центры локализации носителей заряда. Достигнуто качественное соответствие модели с экспериментальной температурной зависимостью проводимости легированного стекла в интервале от гелиевых температур до 1100 K. Ключевые слова: силикатное стекло, толстопленочные резисторы, легирование, туннелирование, нанокристаллы, псевдощель.