Open AccessПластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10(1)1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке
Author(s) -
В. Н. Бессолов,
E. V. Konenkova,
V. N. Panteleev
Publication year - 2020
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2020.12.50130.98-20
Subject(s) - materials science , silicon , crystallography , optoelectronics , chemistry
Методом растровой электронной микроскопии изучалась пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10(1)1) слоя, синтезированного на наноструктурированной подложке Si(100). Показано, что в полуполярном AlN-слое применение нанорельефа, состоящего из треугольных наноканавок с наклонными гранями, близкими к плоскости Si(111), может приводить к формированию трещин только в направлении, перпендикулярном канавке. Модельные представления пластической релаксации напряженного полуполярного слоя основываются на сравнении величин порогового напряжения, выше которого возникают трещины, и термомеханических напряжений, возникающих из-за различия коэффициентов термического расширения AlN/Si-структуры. Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, релаксация напряженного слоя.