Open AccessРазработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4H-SiC p-i-n-диодов
Author(s) -
А.А. Лебедев,
А.В. Кириллов,
Л.П. Романов,
A. V. Zubov,
Anatoly M. Strel’chuk
Publication year - 2020
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2020.02.48820.268-19
Subject(s) - materials science , physics
Разработана технология СВЧ p-i-n-диодов на основе карбида кремния (SiC). С использованием данных диодов изготовлены переключатели для трехсантиметрового диапазона. Показано, что разработанные приборы по величине рабочей мощности примерно в 10 раз превышают рабочую мощность переключателей на базе Si-диодов при одинаковой толщине базы, равной 5 μm. Намечены пути дальнейшей оптимизации технологии данных приборов. Ключевые слова: карбид кремния, СВЧ диоды, модуляторы, переключатели, аттенюаторы.