Open AccessВлияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
Author(s) -
П. Б. Болдыревский,
Д. О. Филатов,
I. A. Kazantseva,
M. V. Revin,
D. S. Smotrin,
П.А. Юнин
Publication year - 2018
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Uncategorized
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2018.02.45411.2405
Subject(s) - metalorganic vapour phase epitaxy , materials science , nanotechnology , epitaxy , layer (electronics)