Open AccessГетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства
Author(s) -
М. В. Дорохин,
А. В. Здоровейщев,
Е. И. Малышева,
Ю.А. Данилов
Publication year - 2017
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Uncategorized
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2017.09.44915.1988
Subject(s) - optoelectronics , materials science