Open AccessВлияние низкотемпературного надбарьерного слоя GaN на концентрацию электронов в гетероструктуре AlGaN/GaN
Author(s) -
А. А. Андреев,
E. A. Vavilova,
И. С. Езубченко,
М. Л. Занавескин,
И. О. Майборода
Publication year - 2017
Publication title -
журнал технической физики
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2017.08.44742.2152
Subject(s) - materials science , optoelectronics
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom