Open AccessОсобенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n-=SUP=-+-=/SUP=--p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния
Author(s) -
В.В. Трегулов,
В.А. Степанов,
В.Г. Литвинов,
А.В. Ермачихин
Publication year - 2016
Publication title -
žurnal tehničeskoj fiziki
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-748X
pISSN - 0044-4642
DOI - 10.21883/jtf.2016.11.43820.1835
Subject(s) - physics