Open AccessМоделирование структурных и энергетических характеристик атомов в 2D-кристалле GaS с точечными дефектами
Author(s) -
М. М. Асадов,
С. Н. Мустафаева,
С.C. Гусейнова,
В. Ф. Лукичев,
Д.Б. Тагиев
Publication year - 2022
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2022.01.51830.182
Subject(s) - rare gas , materials science , chemistry , physics , atomic physics
В рамках теории функционала плотности (DFT) моделированы свойства гексагонального моносульфида галлия (GaS) с учетом влияния вакансий, связанных с ближнеупорядоченной структурой. Показано, что электронное облучение монослоя GaS приводит к уменьшению проводимости за счет образования точечных дефектов. Рассчитаны зонная структура, плотность состояний и энергетические свойства суперъячеек GaS с 36 и 48 атомами с моновакансиями. DFT-расчетами получены значения энергии образования GaS и вакансий атомов Ga и S, а также определена степень влияния вакансий на свойства. С учетом фазовой диаграммы Ga-S изучено влияние состава соединения GaS на величину химического потенциала. Ключевые слова: моделирование, DFT-расчет, суперъячейки GaS, точечные дефекты, энергетическая структура, плотность состояний, энергия образования, химический потенциал.