Open AccessВлияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST
Author(s) -
М. С. Афанасьев,
D. A. Belorusov,
D. A. Kiselev,
A. A. Sivov,
Г. В. Чучева
Publication year - 2021
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2021.11.51594.161
Subject(s) - materials science , composite material
Пленки состава Ba 0.8 Sr 0.2 TiO 3 (BST) синтезированы методом высокочастотного (ВЧ) распыления на буферный слой сегнетоэлектрической пленки состава PbZr x Ti 1-x O 3 (PZT). Представлены сравнительные результаты электрофизических свойств трех различных МДМ-структур: Pt/BST/Ni, Pt/PZT/Ni и Pt/PZT-BST/Ni. Ключевые слова: структуры металл--диэлектрик--металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba 0.8 Sr 0.2 TiO 3 , буферный слой, электрофизические свойства.