Open AccessАтомная подвижность в кристаллической фазе наноструктурированного сплава Ga-In со структурой β-Ga
Author(s) -
Д.Ю. Нефедов,
E.В. Чарная,
A.В. Усков,
A.O. Aнтоненко,
Д.Ю. Подорожкин,
Ю.А. Кумзеров,
А.В. Фокин
Publication year - 2021
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2021.10.51459.124
Subject(s) - beta (programming language) , chemistry , computer science , programming language
Эвтектический сплав галлия и олова является перспективным материалом для использования в современной микроэлектронике, медицинской диагностике и гибкой робототехнике. В связи с новыми применениями сплава Ga-In, значительный интерес вызывают исследования влияния понижения размеров на свойства этого сплава. В настоящей работе приводятся результаты исследования методом ЯМР атомной подвижности в сегрегированной кристаллической фазе наноструктурированного сплава Ga-In, обогащенной галлием. Сплав с концентрацией 94 at.% Ga и 6 at.% In был введен в поры опаловой матрицы. Показано, что обогащенная галлием фаза имела структуру β-Ga. Проведены измерения температурной зависимости скорости ядерной спин-решеточной релаксации галлия. Разделены вклады магнитного дипольного и электрического квадрупольного механизмов релаксации. Рассчитано изменение с температурой времени корреляции атомного движения и оценена энергия активации. Ключевые слова: Ga-In сплав, наноконфайнмент в опале, сегрегированная фаза со структурой β-Ga, ЯМР, спин-решеточная релаксация галлия, атомная подвижность.